日前，微電子所集成電路先導工藝中心（十室）景玉鵬研究員課題組成功自主研發超臨界二氧化碳無損傷清洗設備。應用此設備對硅片進行清洗，清洗后顆粒明顯減少，且平均粒徑小于傳統清洗的粒徑。相對用等離子法清洗，該方法不會對硅片造成損傷，同時可減少工藝步驟，節省時間，提高工作效率。

      超臨界二氧化碳無損傷清洗設備擁有良好的溫度和壓力控制系統，并配有遠程智能化操作系統，是一個適合高校和科研機構的半導體工藝平臺。該設備有望解決微電子行業清洗工藝中的許多難題，例如刻蝕以及灰化后高縱深比結構清洗、刻蝕以及灰化后多孔低介電材料清洗、清洗后干燥、半導體器件金屬顆粒的清洗等。

      此外，利用超臨界二氧化碳還可進行低溫氣膠清洗、硅襯底高選擇比深刻蝕、對硅片任意角度打孔與切割、噴霧涂膠、應力可調HPCVD成膜、MEMS犧牲層干法釋放等多種半導體工藝。超臨界二氧化碳無損傷清洗設備可通過控制腔室中的壓力和溫度，使半導體成膜技術擺脫CVD等傳統工藝難以控制膜厚和應力的窘境。同時，其二氧化碳緩沖三氟化氯的刻蝕技術，也代表了無等離子工藝的前沿技術。

      目前，國內其他科研機構對超臨界二氧化碳無損傷清洗技術的研究均未形成產業化的成型設備。技術水平領先的日本和美國目前只開發出了實驗用樣品機，臺積電等臺灣半導體公司對此的研究也正處在開發階段。按照國際半導體藍圖（ITRS）的預測，2010年以前該項技術都處于評估階段，到2010年以后，該項技術才會實施。因此，微電子所現已自主研發成功的超臨界二氧化碳無損傷清洗設備不僅符合ITRS的發展趨勢，更具有很大的應用空間，尤其在高校和科研機構中具有廣闊的市場前景。